VRM 输入端
对电容的要求:①超低ESR ②高能量密度 ③高频特性优异 ④小型化高密度贴装
电容作用:输入滤波、储能缓冲、抑制电压尖峰
永铭叠层固态优势:①ESR低至3mΩ,纹波吸收强、损耗低;②高能量密度(D壳2V达820μF),小体积大电荷储备;③高频特性优异(100~300kHz),全温区滤波一致;④最小7.3×4.3×1.9mm贴片封装,适配高密度贴装
应用方案指南
GPU 加速卡、CPU 供电、PDN 总线架构的大电流、超低 ESR 电容方案,支持 400V/800V DC-Link。

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对电容的要求:①超低ESR ②高能量密度 ③高频特性优异 ④小型化高密度贴装
电容作用:输入滤波、储能缓冲、抑制电压尖峰
永铭叠层固态优势:①ESR低至3mΩ,纹波吸收强、损耗低;②高能量密度(D壳2V达820μF),小体积大电荷储备;③高频特性优异(100~300kHz),全温区滤波一致;④最小7.3×4.3×1.9mm贴片封装,适配高密度贴装
| 产品系列 | 完整料号 | 电压 | 容量 | 工作温度 | 寿命 | 尺寸 | ESR | 额定纹波电流 | 全生命周期状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPD19 | MPD680M1ED19040R | 25V | 68µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 40mΩ | 3200mArms | 量产 |
| MPD28 | MPD151M1CD28040R | 16V | 150µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 40mΩ | 3200mArms | 量产 |
| MPD28 | MPD470M1VD28040R | 35V | 47µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 40mΩ | 3200mArms | 量产 |
| MPS | MPS471M0ED19003R | 2.5V | 470µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 3mΩ | 10200mArms | 量产 |
| MPX | MPX471M0ED194R5RC | 2.5V | 470µF | -55 ~ 105 ℃ | 3000h | — × 7.3 mm | 4.5mΩ | 8500mArms | 量产 |
| MPX | MPX221M0ED19009RC | 2.5V | 220µF | -55 ~ 105 ℃ | 3000h | — × 7.3 mm | 9mΩ | 6300mArms | 量产 |
| MPD19 | MPD151M0JD19018R | 4V | 150µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 18mΩ | 4600mArms | 量产 |
| MPD19 | MPD331M0JD19009R | 4V | 330µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 9mΩ | 6300mArms | 量产 |
| MPD19 | MPD221M0LD19015R | 6.3V | 220µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 15mΩ | 5100mArms | 量产 |
| MPD28 | MPD331M0LD28015R | 6.3V | 330µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 15mΩ | 5100mArms | 量产 |
| MPD28 | MPD471M0JD28015R | 4V | 470µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 15mΩ | 5100mArms | 量产 |
| MPD28 | MPD471M0LD28015R | 6.3V | 470µF | -55 ~ 105 ℃ | 2000h | — × 7.3 mm | 15mΩ | 5100mArms | 量产 |
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